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Hochtemperatur, multi lambda QCW Stack

QCW Diodenbarren & Stacks

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Hochtemperatur, multi lambda QCW Stack

Die QD-Q1yzz-B(n), QD-Q1yzz-BS(n) und QD-Q1yzz-G(n) Produktfamilie bietet eine Vielfalt von verschiedenen konduktionsgekühlten Laserdioden mit übereinandergestapelten Barren an, die  für den Betrieb  in extremen Temperaturbereichen geeignet sind. Diese Stacks können mit 2 bis 25 Diodenbarren von 60 W QCW bis 400 W QCW hergetstellt werden. Die Laserdiodenbarren profitieren von der ausgereiften Technologie, die  eine verbesserte Effizienz und einen zuverlässigen Betrieb bei erhöhten Temperaturen ermöglicht. 

  • QCW Betrieb
  • Bis zu 400 W QCW pro Diodenbarren
  • Hartlot Technologie
  • Sehr effizient über einen großen Betriebstemperaturbereich (- 40 bis 80°C)
  • Option zur Emission von mehreren Wellenlängen (2-3-4-5 Farben gleichzeitig)
  • Aufbau mit geringem thermischen Widerstand
  • Mechanisch robust, stoβ- und vibrationsfest
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Gehäusetemperatur : + 25° C
QCW Mode :
Pulsbreite = 200 µs
Repetitionsrate = 100 Hz

ParameterQD-Q1yzzB(n) ou J(n)QD-Q1yzzBS(n)QD-Q1yzzG(n)
Anzahl der Diodenbarren (Abstand = 400 µm) (zz =) 1 bis 12 1 bis 19 1 bis 16
Abstand zwischen Diodenbarren (µm) von 330 bis zu wenige 1000s
Emittierende Fläche (mm²) 10 x (zz - 1)* Abstand
QCW Optische Leistung pro Diodenbarren (Watt) > 400
QCW Optische Leistung (Watt) > 4800 > 7000 > 6800
Betriebsstrom (Amp.)
@ 100 W/bar
95 A @ + 25°C
110 A @ + 75°C
Betriebsstrom (Amp.)
@ 200 W/bar
185 A @ + 25°C
205 A @ + 75°C
Betriebsstrom (Amp.)
@ 300 W/bar
275 A @ + 25°C
300 A @ + 75°C
Betriebsspannung (Volt) 2 V/bar
Gesamteffizienz (%) 58 Typ. @ 25°C und 50 % @ 75°C
Wellenlänge (nm)
(‘n’ = Zahl der unterschiedlichen λ)
790 bis 820
Änderung der Wellenlänge (nm/°C) 0,26
Strahldivergenz (deg.) (FWHM) 8 x 36

Anmerkung :

  • Standard-Polarisation : TM oder TE Mode
  • Wellenlängentoleranz ist +/- 3nm, +/- 1,5 nm auf Anfrage erhältlich
  • Andere Wellenlängen im 9xx nm Bereich sind  auf Anfrage erhältlich
  • Spezifikationen sind gültig für nominelle Lebensdauer > 1. 109 Pulse @ 25°C und > 0.3 109 Pulse @ +75°C (für 200 µs Pulsbreite)

    Absolute Grenzwerte:
  • Parameter

    QD-Q1yzz-B(n)QD-Q1yzz-BS(n)QD-Q1yzz-G(n)
    Pulsbreite (µs) 500
    Maximale Einschaltdauer (%) 4
    Sperrspannung (Volt) 3
    Betriebstemperaur (°C) -40 bis 75
    Lagerungstemperatur (°C) -55 bis 85








    Anmerkung : Der Betrieb bei Temperaturen unter dem Gefrierpunkt erfordert die Verwendung von trockener N2-Atmosphäre

Die QD-Q1yzz-B(n), QD-Q1yzz-BS(n) und QD-Q1yzz-G(n) Produktfamilie bietet eine Vielfalt von verschiedenen konduktionsgekühlten Laserdioden mit übereinandergestapelten Barren an, die  für den Betrieb  in extremen Temperaturbereichen geeignet sind. Diese Stacks können mit 2 bis 25 Diodenbarren von 60 W QCW bis 400 W QCW hergetstellt werden.

Die Laserdiodenbarren profitieren von der ausgereiften Technologie, die  eine verbesserte Effizienz und einen zuverlässigen Betrieb bei erhöhten Temperaturen ermöglicht. Diodenbarren verschiedener Wellenlängen können gemischt werden, um ein breites optisches Emissionsspektrum zu erzeugen. Der Betrieb ist geeignet für Laser, die eine hohe Pumpleistung in nicht-temperaturkontrollierten Umgebungen benötigen.

Die AuSn Hartlot Technologie wird an kompakten und robusten Gehäuse verwendet. Die Einheit ermöglicht einfache und effiziente elektrische Verbindungen, die für ein breites Spektrum von Anwendungen in der Verteidigung, Luft- und Raumfahrt und industrielle Anwendungen geeignet sind.

  • LIF
  • LIBS
  • Oberflächenbearbeitung
  • Spektroskopie
  • Schockwellenerzeugung
  • Pumpen
  • Ablation
  • Flachbildschirmherstellung
  • Gravierung
  • LIDAR
  • Markierung
  • Remote Sensing
  • Sicherheit und Verteidigung
  • Pointer
  • Designator
  • Telemeter
  • Illuminator
  • etc.
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